与亚微米工艺类似,侧墙工艺是指形成环绕多晶硅的氧化介质层,从而保护LDD 结构,防止重掺杂的源漏离子注入到LDD结构的扩展区。侧墙是由两个主要工艺步骤形成,首先淀积 ONO 结构,再利用各向异性干法刻蚀去除表面的 ONO,最终多晶硅栅侧面保留一部分二氧化硅。侧墙工艺不需要掩膜版,它仅仅是利用各向异性干法刻蚀的回刻形成的。
1)淀积 ONO 介质层。ONO是二氧化硅,Si3N4和二氧化硅。首先利用LPCVD淀积一层厚度约200~300A的二氧化硅层,它作为Si3N4刻蚀的停止层,另外它也可以作为缓冲层减少 Si3N4对硅的应力。再利用LPCVD 淀积一层厚度约300~400A的Si3N4层,它可以防止栅与源漏的相互漏电。最后一层二氧化硅是利用 TEOS 发生分解反应生成二氧化硅层,厚度约1200A。图4-200所示为淀积 ONO的剖面图。
2)侧墙刻蚀。利用干法蚀刻去除二氧化硅和Si3N4,刻蚀停在底部的二氧化硅上。因为在栅两边的氧化物在垂直方向较厚,在蚀刻同样厚度的情况下,拐角处留下一些不能被蚀刻的氧化物,因此形成侧墙。侧墙结构可以保护 LDD 结构,也可以防止栅和源漏之间发生漏电。图4-201所示为侧墙刻蚀的剖面图。
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