源漏离子注入工艺的制造流程

与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会形成n型和p型阱接触的有源区，或者n型和p型有源区电阻，以及n型和p型多晶硅电阻。

1）清洗。将晶圆放入清洗槽中清洗，得到清洁的表面，防止表面的杂质在生长氧化层时影响氧化层的质量。

2） 衬底氧化。利用炉管热氧化生长一层薄的氧化层，利用O2在850°C左右的温度下使多晶硅和衬底硅氧化，形成厚度约100A的氧化硅，修复蚀刻时的损伤，表面的氧化硅可以防止离子注入隧道效应，隔离硅衬底与光刻胶，防止光刻胶中的有机物与硅接触污染硅衬底。

3）n+光刻处理。通过微影技术将n＋掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成n+的光刻胶图案，非n＋区域上保留光刻胶。n+为 NMOS 源和漏的离子重掺杂离子注入，以及有源区和多晶硅重掺杂离子注入。AA作为n+光刻曝光对准。电路的版图参见图4-58，工艺的剖面图是沿 AA'方向。图4-202所示n+光刻的剖面图。图4-203所示为n +显影的剖面图。

4）测量n+光刻套刻，收集曝光之后的n+光刻与AA的套刻数据。

5）检查显影后曝光的图形。

6） n+离子注入。通过低能量、浅深度、重掺杂的砷离子注入，形成重掺杂 NMOS 的源和漏，以及形成n型有源区电阻和多晶硅电阻。采用离子注入法，降低 NMOS 源和漏的串联电阻，提高 NMOS 的速度。图4-204所示n+离子注入的剖面图。

7）去除光刻胶。干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。图4-205所示为去除光刻胶的剖面图。

8）n+退火激活。利用快速热退火在800°C的H2环境中，修复n＋离子注入造成硅表面的晶体损伤，恢复晶格结构，激活砷离子。

9）P+光刻处理。通过微影技术将p＋掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成p+的光刻胶图案，非p+区域上保留光刻胶。P+为PMOS 源和漏的重掺杂离子注入，以及有源区的离子重掺杂注入。AA 作为p+光刻曝光对准。图4-58所示为电路的版图，工艺的剖面图是沿AA'方向。如图4-206所示，是p+光刻的剖面图。图4-207所示为p+显影的剖面图。

10）测量P+光刻套刻，收集曝光之后的p+光刻与AA 的套刻数据。

11） 检查显影后曝光的图形。

12）p+离子注入。通过低能量、浅深度、重掺杂的二氟化硼离子注入，形成重掺杂PMOS 的源和漏，以及形成p 型有源区电阻和多晶硅电阻。采用离子注入法，降低 PMOS 源和漏的串联电阻，提高PMOS 的速度。图4-208所示为P+离子注入的剖面图。

13）去除光刻胶。干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。图4-209所示为去除光刻胶的剖面图。

14） P+退火激活。利用快速热退火在800°C的H2环境中，修复p＋离子注入造成硅表面的晶体损伤，恢复晶格结构，激活硼离子。