MS31221——低压双全桥电机驱动

产品简述

  MS31221 是一款双全桥电机驱动。它可应用于低电

压及电池供电的运动控制场合。并且内置电荷泵来提供

内部功率 NMOS 所需的栅驱动电压。

  MS31221 可以提供最高 2.8A 的峰值电流，其功率电

源供电范围从 1.8V 到 10V，逻辑电源供电范围从 1.8V 到

6V。

  四个输入脚可以控制直流电机工作在正转、反转、

刹车以及滑行模式，也可以控制一个步进电机在全步和

半步模式。全桥由 IN1/IN2 逻辑控制，并且当所有的

xINx=0 超过 3ms 时，进入待机模式。

主要特点

◼两个全桥驱动器，低输出导通电阻，

   420mΩ(HS+LS)

◼2.8A 峰值电流能力

◼功率电源供电范围：1.8V 到 10V

◼逻辑电源供电范围：1.8V 到 6V

◼IN1/IN2 全桥控制逻辑

◼待机模式下，功耗不超过 120nA@VM<6V

◼QFN16L 封装（背部散热片）, 3mmx3mm

◼保护功能：欠压保护、过流保护、

   短路保护以及过温保护

应用

◼摄像机

◼玩具

◼机器人

◼便携式医疗电子设备

产品规格分类

内部框图

管脚图

管脚说明

极限参数

  芯片使用中，任何超过极限参数的应用方式会对器件造成永久的损坏，芯片长时间处于极限工作

状态可能会影响器件的可靠性。极限参数只是由一系列极端测试得出，并不代表芯片可以正常工作在

此极限条件下。

推荐工作条件

工作电源电压范围

电气参数

VM=5V，VDD=3.3V。注意：没有特别规定，环境温度为Ta = 25°C ±2°C。

如有需求请联系——三亚微科技 王子文（16620966594）

功能描述

  MS31221 是一款低压、两个全桥驱动器，可以用来驱动一个步进电机或者两个直流电机。

全桥控制逻辑

  MS31221 采用 IN1/IN2 逻辑控制全桥。每个全桥独立控制。

其真值表如下：

待机模式

  MS31221 提供待机模式，当 AIN1=AIN2=BIN1=BIN2=0 的时间超过 3ms 时，芯片将进入待机模式。

待机模式下，芯片所有模块都会被关闭。若 xINx 中有一个脚被拉高，芯片将从待机模式进入正常工作

模式。

电源供电及输入管脚

  VDD 和 VM 可以不按照顺序上电或者下电。当 VDD 下电后，芯片会进入低功耗状态，此时 VM 只

消耗很小的电流。如果 VM 电压在 1.8V 到 6V 之间，可以从外部将 VDD 和 VM 接一起进行供电。

保护电路

  MS31221 提供完备的保护电路，包括欠压保护、过流保护、过温保护等。

  MS31221 针对每个功率 MOS 做了独立的过流保护：包括对电源、对地以及输出间短路。当触发过

流保护时，芯片会关闭相应的全桥输出 2.8ms 左右，再重新开启，确保芯片不会因过流而损坏。

  在保护状态时，nFAULT 脚会被拉低。

典型应用图

封装外形图

QFN16 (03X03)（背部带散热片）

——爱研究芯片的小王

审核编辑 黄宇