A/B型缺陷和D/V类缺陷介绍

在直拉法(cz)和区熔法(Fz)制成的单晶硅锭中内生微缺陷都由V/G控制，其中，V是结晶前沿晶体生长速率，G是晶体中固液界面附近的轴向温度梯度。

如果V/G低于临界值，则形成的缺陷为A型漩涡缺陷或B型漩涡缺陷；如果V/G高于临界值，则A/B型缺陷消失，新的缺陷类型出现。这种新缺陷被称作D类缺陷或V类缺陷。V/G的临界值与缺陷形成的关系可以用图表示，由图中可知，V/G的临界值为为0.13mm/minK。

A型漩涡缺陷  也称为刃型位错，它们是晶体中最常见的位错类型之一。  

A型位错涉及晶体平面的局部错位，其中一个半平面被插入到另一个半平面之间。  

这种错位导致晶体内部的应力分布不均，可能影响材料的塑性变形和断裂行为。  

 B型漩涡缺陷  也称为螺型位错，B型位错是晶体中的另一种常见位错类型。  

它们由螺旋状排列的原子平面组成，看起来像是一个螺旋楼梯。  

B型位错可以沿着晶体的特定方向移动，影响材料的塑性变形和断裂。  

D类缺陷

这个术语通常不用于描述晶体中的点缺陷，而是用于描述位错的一种类型，即线缺陷。  

D类位错是一种特殊的位错，其中原子或离子的排列在晶体中形成类似哑铃的形状。  

它们通常与位错的移动和材料的塑性变形有关。  

V类缺陷

V类缺陷指的是晶体中的空位，即原子或离子缺失的地方。  

空位是最常见的点缺陷之一，它们可以在材料的制造过程中产生，也可以在材料的使用过程中由于原子的热振动而形成。  

空位可以影响材料的许多物理性质，如电导率、热导率和机械强度。