芯导科技推出650V/1200V高性能IGBT产品

能源是经济社会发展的重要物质基础和动力源泉。近些年，“双碳”战略引领能源转型革命，发展绿色低碳新质生产力既是解决全球环境问题的重要保障，更是国家经济与民生福祉的必然要求。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）全称是“绝缘栅双极型晶体管”，在新能源大功率电力电子设备中发挥着关键作用，兼具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

在相关政策的带动下，我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车 / 动车组、城市轨道交通等领域得到了飞速发展，光伏及风能发电、新能源汽车、储能、数据中心等新的应用也日益成熟，此类应用对IGBT产品具有旺盛的需求，并在产品性能、技术参数、可靠性等方面提出了较高要求。

芯导科技现已推出，采用第7代工艺技术的IGBT产品系列，具有如下优势：

 

 

采用精细沟槽结构，窄pitch和发射极载流子存储IGBT技术

国内最先进12吋IGBT晶圆加工工艺，具有良好的参数一致性

低导通压降，正温度系数，易于并联使用

高短路耐量

低开关损耗

650V/1200V 小电流产品系列采用TO-247/TO-247PLUS单管封装形式，适用工业控制、电动汽车PTC等领域应用：

芯导科技SiC SBD混封IGBT产品系列，具有开关频率快、反向恢复损耗极低的特点，应用于光伏和不间断电源领域。

1200V 100A以上大电流产品系列，主要采用Econodual3/62mm等模块封装形式，适用于储能等领域：