上海伯东IBE离子束刻蚀机优势

　　上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料。是一种干法物理纳米级别的刻蚀， 刻蚀均匀性 ≤±5%（部分材料 ±3%）。

　　IBE 刻蚀机几乎满足所有材料的刻蚀。 例如磁性材料， 黄金 Au， 铂 Pt， 合金等金属及复合半导体材料， 广泛应用于 RF 射频器件， MEMS 传感器， 磁性器件 … 等研究。

　　对于“难去除”的材料比如贵金属（如金和铂）， 压电材料（锆钛酸铅 PZT ， 铌酸锂 LiNbO3 和 氮化铝钪 AlScN， 或用于 MRAM 和 STT-MRAM 的材料（如 Al2O3 ， Ni， Fe， Cr， Co， Cu， Mn 和 Pd 等）上海伯东 IBE 离子束刻蚀机同样有着稳定的刻蚀均匀性。

　　上海伯东 IBE 离子束刻蚀机优势

　　1. 满足刻蚀的线条宽度要求

　　2. 满足刻蚀准直度要求

　　3. 可以实现 ICP 和 RIE 无法进行的刻蚀

　　4. 离子束角度可以±90°任意调整， 蚀刻可以根据需要做垂直， 斜面等等加工形状

　　IBE 离子束刻蚀机， 刻蚀材料和速率一览表

　　

　　自 1970年至今， Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机。 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和 KRi 考夫曼离子源， 适用于 4英寸， 6英寸， 8英寸刻蚀。 伯东公司超过 50年的 IBE 离子束刻蚀市场经验， 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术！