在做芯片选型的时候,我们通常会对比各厂家芯片的ESD性能,比如A厂家芯片的HBM静电指标为2KV,B厂家的达到了4KV,如果在各方面条件都差不多的情况下,用户会更倾向于选择静电指标更高的芯片。
我们知道,芯片的静电测试标准主要有HBM,MM和CDM,通过前面文章,我们知道了如下两点信息。
1.上面三种测试标准,MM现在只是可选项,不做强制要求,参考文章:
芯片规格书里的静电指标为什么很少看到机器模型(MM)了
2.芯片的静电测试和产品的静电测试标准不同,且差异较大,参考文章:
为什么MCU规格书上静电等级4KV,在产品上测试却2KV都不过?
本文讨论一下芯片规格书中最常见的HBM标准。
先提出如下几个问题,看看大家是怎样理解的。
1、芯片数据手册上的HBM测试数据一般参考了什么标准? 2、如果两款芯片的HBM静电指标都为2KV,但采用的测试标准不同,你觉得两者抗静电能力是相同还是不同? 3、如果各静电测试标准有差异,差异有多大?
先看第一个问题,从不同的厂家数据手册上截取有关芯片HBM的参考标准,列举如下:
芯片1
芯片2
芯片3
芯片4
芯片5
从上面的数据可以看出,以上所列出的芯片包含了5种HBM测试标准,且静电数据都是2000V,所涉及的测试标准如下:
相关的标准组织和协会如下:
JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council),固态技术协会
ESDA(Electrostatic Discharge Association),美国静电放电协会
ANSI(AMERICAN NATIONAL STANDARDS INSTITUTE),美国国家标准学会
AEC(Automotive Electronics Council),汽车电子委员会
MIL-STD (US Military Standard),美国军标
回到第二个问题,上述5个测试标准,是否有差异?
我们先查找JS-001的标准文档,里面有描述:
从上文可以看出,JS-001合并了JESD22-A114和ANSI/ESD STM5.1-2007这两份标准为一种标准。
基于此,本文只对ESDA/JEDEC JS-001、AEC Q100-002和MIL-STD-883,Method 3015.7这3个标准的差异进行分析。
要知道这些静电标准的差异,就需要知道静电测试的电压和电流以及测试方法,而电压电流和测试所选取的RC取值直接相关,但是以上3种测试标准的RC取值都一样:R=1.5KΩ,C=100pF。仅仅从RC的取值找不到各标准的差异。
我们知道,同等的测试电压,测试环境的寄生效应会导致电流波形存在差异,峰值电流也会和寄生参数直接相关。
下面对比各个标准的测试流程,峰值电流以及电流波形,如下:
MIL-STD-883
测试次数和时间间隔:
电流波形:
电流峰值对照表:
ESDA/JEDEC JS-001
测试次数和时间间隔:
电流波形:
电流峰值对照表:
AEC_Q100-002D
测试次数和时间间隔:
电流波形:
电流峰值对照表:
以上3种测试标准,仅从峰值电流和电流波形看,还是看不出太大区别。
但测试的脉冲数和测试间隔时间存在较大差异。
对比如下:
从这个表格可以看出3种标准的测试方法是存在差异的,并且没有数据表明这些差异不会对测试结果产生影响。
要搞清楚这几种标准对测试结果是否有影响,最直接的方法就是进行试验验证。
第3项为车规标准,仅列参考,下面只对前面2项静电标准进行对比测试说明。
实验1(数据来自互联网),某芯片测试对比数据如下:
此芯片的静电测试结果如下:
1.采用MIL-STD-883标准,2颗50V不过,1颗过200V。
2.采用JS-001标准,1颗过50V,1颗过400V,1颗过500V。
3.测试数据显示:JS-001测试指标比MIL-STD-883更好。
上述网上收集的数据虽然具有一定参考性,但是50V的静电指标,和我们日常使用的2000V左右的芯片静电数据差异太大,因此有必要找出更接近实际应用的芯片数据对比参考。
实验2,外购的芯片,委托国内的一家测试机构实测数据如下:
此芯片的静电测试结果如下:
1.采用MIL-STD-883标准:2颗过1000V,1颗过1500V。
2.采用JS-001标准:3颗都过2000V。
3.测试数据显示:JS-001测试指标比MIL-STD-883更好。
总结:
1、在阅读芯片静电指标时,所参考的测试标准也需要了解。2、从本文的对比数据来看,MIL-STD-883标准和JS-001存在差异,且MIL-STD-883标准更严。3、从MIL-STD-883标准和JS-001测试方法对比来看,测试脉冲的次数对测试数据结果有较大的影响。
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