晶圆表面温度对干法刻蚀的影响

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本文介绍晶圆表面温度对干法刻蚀的影响

表面温度对干法刻蚀的影响主要包括:聚合物沉积,选择性,光刻胶流动、产物挥发性与刻蚀速率,表面形貌等。

晶圆

  聚合物沉积 :工艺过程中产生的聚合物会在表面沉积,影响刻蚀速率和选择性。温度影响聚合物的沉积速率和稳定性,高温可使沉积层分解或减少,低温则会增加聚合物沉积。   选择性 :刻蚀材料和掩膜材料的选择性对温度非常敏感。温度过高会降低刻蚀选择性,因为刻蚀速率加速会同时刻蚀掩膜。 光刻胶:光刻胶流动在高温下,光刻胶会发生软化、流动甚至起泡,导致形貌失真。   产物挥发性与刻蚀速率 :温度影响化学反应的副产物挥发性,高温下副产物更易挥发,有助于提高刻蚀速率。而低温会导致副产物残留,降低刻蚀效率。   刻蚀形貌:刻蚀温度接近材料的玻璃化温度 (Tg),表面形貌均匀。刻蚀温度远低于玻璃化温度,表面刻蚀不均匀,且粗糙度较大。  

 

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