选择性沉积技术介绍

　　选择性沉积技术可以分为按需沉积与按需材料工艺两种形式。

　　

　　随着芯片制造技术的不断进步，制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑战，尤其是全环绕栅极（Gate-All-Around， GAA）晶体管和更先进的CEFT晶体管，为了进一步优化，一种名为选择性沉积的技术应运而生。这项技术通过精确控制材料在特定区域内的沉积过程来实现这一目标，并主要分为按需沉积（DoD， Deposition on Demand）与按需材料工艺（MoD， Material on Demand）两种形式。

　　

　　按需沉积（DoD）

　　DoD工艺的核心在于能够精准地将材料沉积到需要的地方，同时避免非目标区域受到不必要的覆盖。

　　

　　表面准备：首先对基板进行彻底清洁及预处理，确保后续沉积过程中的材料能够良好附着。

　　抑制层的选择性：接着，在不需要沉积材料的地方施加一层保护性的抑制层，以防止材料在此处沉积。（一） 抑制金属与氧化物：硫醇、炔烃、芳香胺（二） 抑制氧化物/硫化物与其他氧化物/硫化物：羧酸、β-二酮（三） 抑制氧化物与金属：甲氧基硅烷

　　选择性沉积：利用技术，在已经准备好的表面上准确地沉积所需材料。

　　抑制层移除：最后一步是去除之前添加的抑制层，完成整个沉积流程的同时保持结构完整无损。

　　按需材料工艺（MoD）

　　MoD工艺则专注于根据不同需求，在指定位置上沉积多种类型的材料，例如钨（W）或钼（Mo），从而创建出更为复杂且功能强大的互连结构。其具体实施步骤如下：

　　1.原始材料引入：开始时先沉积一层基础材料，比如钨或钼。

　　

　　2.表面清洁：随后清除表面存在的任何杂质，保证接下来要沉积的材料能够牢固结合。

　　

　　3.抑制层应用与表面预备：同样采用抑制层技术来限制材料仅在预定区域内沉积。

　　

　　4.选择性ALD沉积：再次运用ALD技术，这次是为了给铜互连增加一层钨或钼作为衬垫，增强导电性能。

　　

　　5.抑制层移除：最后阶段同样是移除所有多余的抑制层，确保最终形成的互连结构既紧密又可靠。