安世半导体650V IGBT网络研讨会前瞻

IGBT是中高压应用的主要器件。为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟栅场截止(FS)工艺，为工业应用带来高可靠性的同时，提高功率密度。

安世半导体的IGBT功率半导体产品总监史威将于2024年12月19日（周四）下午1530带来以《高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT介绍及其优势》为主题的网络研讨会。

届时他将深入解析安世半导体TO247 - 3封装的650V IGBT，并阐述其大幅优化的关断损耗与关断过压尖峰，如何达成较低温升与卓越效率，并探讨其在系统功率转换及电机驱动方面的应用优势。

直播主题

高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT介绍及其优势

直播时间

2024年12月19日（周四）下午1530

直播大纲

1. 安世半导体IGBT产品系列介绍

2. 安世半导体650V IGBT产品的特点及应用优势

直播讲师

史威

安世半导体（德国）

功率半导体产品总监

从事功率半导体器件（IGBT, SiC MOSFETs）运用需求，产品定义及市场推广工作多年。现任安世半导体（德国）功率半导体产品总监，规划主导IGBT产品路线。

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NGW75T65H3DF是一款采用第三代技术的坚固型绝缘栅双极性晶体管（IGBT），拥有先进的载流子储存沟栅(CSTBT)场截止(FS)工艺。它的额定温度为175 °C，具有优化的关断损耗。这款硬开关针对高压、高频工业电源逆变器应用都进行了性能提升。

 Nexperia (安世半导体) 

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Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

Nexperia：效率致胜。