铜互连双大马士革工艺的步骤

本文介绍了铜互连双大马士革工艺的步骤。  

如上图，是双大马士革工艺的一种流程图。双大马士革所用的介质层，阻挡层材质，以及制作方法略有差别，本文以图中的方法为例。

　　（A） 通孔的形成 在介质层（如SiCOH）上沉积光刻胶（Resist），并使用光刻工艺做出掩模图形。通过干法刻蚀手段，得到通孔。

　　（B）制作沟槽所需的图形 完成通孔的刻蚀后，通常会去除原来的光刻胶。旋涂抗反射层，并将通孔填满，之后会再次涂布光刻胶，做出开槽所需的光刻胶图形。

　　（C） 开沟槽 干法刻蚀除去多余的抗反射层，介质层等，并去除晶圆表面光刻胶。

　　（D） 沉积种子层 在刻蚀好的沟槽和通孔内，使用PVD或CVD沉积Cu种子层和阻挡层。Cu种子层用于电镀的导电材料。阻挡层主要是Ta或TaN，用于防止铜扩散。

　　（E） 电镀铜 使用电镀工艺，将铜填充到通孔和沟槽中。铜完全填满后，表面会有过量的铜。使用CMP工艺去除多余的铜和种子层，只保留通孔和沟槽中的铜。

  

(F)cmp抛光   cmp抛光后，在表面覆盖阻挡层。