密歇根大学研究出新型固态存储设备 可耐600°C高温

　　密歇根大学的研究团队开发了一种新型的固态存储设备，该设备因其卓越的耐高温特性而有望成为计算机内存的关键替代选项。与常规的硅基存储技术相比，这种创新设备能够在超过 600°C 的极端高温条件下进行数据的存储和重写，这一温度水平甚至超越了金星表面的温度以及铅的熔点。

　　密歇根大学材料科学与工程系的助理教授，同时也是本研究的主要通讯作者 Yiyang Li 指出：“目前我们已成功开发出一种能够存储单比特数据的设备，其性能与其他高温计算机内存技术相当。随着进一步的研究和资金投入，理论上该设备具备扩展到兆字节或千兆字节数据存储的能力。”

　　尽管研究显示，向这种新型存储器写入信息需要250°C以上的高温，但通过使用加热器可以解决这一问题，从而使设备在更低的温度下也能正常运作。

　　与传统基于硅的存储技术相比，这种新型设备具有显著的优势。它利用带负电的氧原子来存储数据，而非依赖电子。当温度超过150°C时，传统的硅基半导体会开始导通不可控制的电流，从而导致存储信息的丢失。然而，由于没有这种限制，即使在600°C以上的高温下，这种新型设备仍然能够稳定地保存数据。

　　这项研究是与桑迪亚国家实验室合作完成的，并已在《Device》杂志上发表。