基于铁钴磁致伸缩敏感膜的新型声表面波磁场传感器

在当今的信息社会中，磁场传感器已成为信息技术和信息产业中不可缺少的基础元件，可以在科研、生产和社会生活的各个方面得到广泛应用，承担起探究种种信息的任务。

中国科学院声学研究所超声技术中心的研究人员将栅阵式图形设计的铁钴磁致伸缩敏感膜与表面声波相结合进行磁场感测，所提出的传感器由差分双延迟线振荡器构成，成功抑制了铁钴材料中的磁滞效应，其磁滞误差仅为铁钴薄膜式传感器的五分之一，而且，传感器的灵敏度、线性度也得到了大幅改善，为高性能磁场检测提供了一个有效途径。