芯片湿法刻蚀残留物去除方法

大家知道芯片是一个要求极其严格的东西，为此我们生产中想尽办法想要让它减少污染，更加彻底去除污染物。那么，今天来说说，大家知道芯片湿法刻蚀残留物到底用什么方法去除的呢？

芯片湿法刻蚀残留物去除方法主要包括湿法清洗、等离子体处理、化学溶剂处理以及机械研磨等。以下是对芯片湿法刻蚀残留物去除方法的详细介绍：

湿法清洗

铜腐蚀液（ST250）：铜腐蚀液主要用于去除聚合物残留物，其对聚合物的去除能力比较强。

稀氟氢酸（DHF）：稀氟氢酸能有效去除侧壁损伤层，也能去除大多数刻蚀后的聚合物残留物。

等离子体处理

含F物质的结壳带与无F散装带：为了增强结壳带，在等离子体中加入含F的物质，但需注意这些倾向于攻击暴露的氧化硅衬底。

CF4+O2等离子体：用于去除聚合物步骤，随后使用O2等离子体去除感光膜。

化学溶剂处理

热SPM、有机溶剂：如热SPM（过氧化硫模块）/食人鱼溶液、臭氧和硼材料等，用于去除光致抗蚀剂。

n-甲基吡咯烷酮（NMP）、二甲基亚氨基甲酸（DMSO）和四铵甲（TMSO）：这些溶剂型流体以各种形式和结合工艺使用，提高产量并减少系统损坏。

机械研磨

在某些情况下，可能需要采用机械研磨的方法来去除顽固的残留物。

审核编辑 黄宇