湖南静芯推出用于USB 3.2的深回扫型静电保护器件SEUCS2X3V1BB

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 【新品发布】湖南静芯推出用于USB 3.2的深回扫型静电保护器件SEUCS2X3V1BB

湖南静芯宣布推出全新产品SEUCS2X3V1BB 。SEUCS2X3V1BB是一款保护高速数据接口的超低电容深回扫型ESD保护器件，专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感电子元件免受ESD(静电放电)引起的过压，可适用于USB 3.2的高速差分信号线防护。根据IEC61000-4-2和IEC610000-4-5规范，SEUCS2X3V1BB可用于提供高达±30kV(接触放电)的ESD保护，可承受高达14A(8/20us)的峰值脉冲电流。

关于USB 3.2

USB是一种通用的串行总线标准，定义了数据传输协议和电源供应规范，用于连接计算机与外部设备。USB接口的设计初衷是为了简化计算机与外部设备之间的连接，通过一个统一的接口标准来替代以往计算机上众多的串行和并行接口。USB 3.2版本1.0于 2017 年发布，分为三个版本，USB 3.2 Gen 1理论最高速率为5Gbit/s（与USB 3.1 Gen 1相同），USB 3.2 Gen 2理论最高速率为10Gbit/s（与USB 3.1 Gen 2相同），USB 3.2 Gen 2x2理论最高速率为20Gbit/s。USB 3.2 的到来使占行业主导地位的 USB-A 连接开始逐渐被 USB-C 淘汰。由于 USB-C 支持更高数据传输速度并能更快地为其他外围设备充电，自然而然地成为USB 3.2 Gen 2 的主要 USB 接口。

USB-C接口和传统USB-A和USB-B一样，都为外露设计，使用者可以很方便地即插即用、随拔即关。然而，这种频繁的热插入动作却潜藏着风险，它极易引发静电放电（ESD）等瞬时干扰。当带电的USB-C接口与系统接触时，电荷的瞬间转移会产生强大的静电冲击，可能导致系统工作异常，影响设备的正常功能，还可能直接损坏控制组件，给用户带来不必要的损失和困扰。

USB-C接口的引脚配置如下图所示。

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图1 USB Type-C引脚配置

Pin	名称	功能描述	Pin	名称	功能描述
A1	GND	地	B1	GND	地
A2	TX1+	超高速差分信号 #1，TX，正	B2	TX2+	超高速差分信号 #2，TX，正
A3	TX1-	超高速差分信号 #1，TX，负	B3	TX2-	超高速差分信号 #2，TX，负
A4	VBUS	总线电源	B4	VBUS	总线电源
A5	CC1	识别通道	B5	CC2	识别通道
A6	D+	USB2.0差分信号 Position1，正	B6	D+	USB2.0差分信号 Position2，正
A7	D-	USB2.0差分信号 Position1，负	B7	D-	USB2.0差分信号 position2，负
A8	SBU1	辅助通道	B8	SBU2	识别通道
A9	VBUS	总线电源	B9	VBUS	总线电源
A10	RX2-	超高速差分信号 #2，RX，负	B10	RX1-	超高速差分信号 #1，RX，负
A11	RX2+	超高速差分信号 #2，RX，正	B11	RX1+	超高速差分信号 #1，RX，正
A12	GND	地	B12	GND	地

表1 USB-C引脚功能描述表

深回扫型ESD介绍

回扫特性ESD防护器件具有超小封装体积、超低钳位电压、超低结电容特性，相比常规工艺 TVS 防护效果更优，且不影响信号完整性，可更有效保护USB端口免受瞬态过电压的影响，为相关电子产品设备加固防护，提升消费者使用体验。

常规型ESD的电压会随着IPP（峰值脉冲电流）的增加而等比例增加，呈现出一个较为线性的增长趋势。而深回扫型ESD器件在当电压达到VT（触发电压）后会瞬间将两端的钳位电压拉低，进入一个小于工作电压VRWM的较低电压VHOLD,之后随着电流的增加电压逐渐增大。

其相较于常规ESD器件的优点有：

更低的钳位电压：在相同的IPP下，带回扫ESD的VC（钳位电压）比常规ESD器件低30%以上。

更低的漏电流：这类ESD器件具有更低的漏电流，有助于降低设备的功耗，实现更节能的设计。

更深的应用范围：带回扫ESD的优异性能使其适用于更深的领域，如低压移动电子设备、汽车电子、工业控制等对ESD保护要求较高的场合。

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图2 ESD特性曲线图对比

通过对比常规ESD和带回扫ESD的特性曲线图及其优点，可以看出带回扫ESD在ESD保护方面具有更出色的性能和应用前景。

SEUCS2X3V1BB介绍

SEUCS2X3V1BB是湖南静芯研发的一款超低电容ESD静电保护器件，专门设计用于保护高速数据接口免受过应力事件的影响，可适用于USB 2.0 and USB 3.2的高速差分信号线防护。SEUCS2X3V1BB的工作电压为3.3V，钳位电压为6.4V，具有 0.28pF 的极低电容，可确保信号完整性。根据IEC 61000-4-2 (ESD) 规范， SEUCS2X3V1BB可用于提供高达±30kV(接触放电)，±30kV(空气放电)的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达14A(8/20μs)的峰值脉冲电流。

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击穿电压曲线	漏电流曲线
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结电容曲线	IV曲线

表2 SEUCS2X3V1BB相关曲线图

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Units
Reverse Stand-off Voltage	VRWM			3.3	5.0	V
Reverse Breakdown Voltage	VBR	IT=1mA	6.0	7.8		V
Reverse Leakage Current	IR	VRWM=3.3V			100	nA
Clamping Voltage	VC	IPP=1A; tp=8/20us		2.5		V
Clamping Voltage	VC	IPP=14A; tp=8/20us		6.4		V
Dynamic Resistance	Rdyn			0.25		Ω
Junction Capacitance	CJ	VR=0V; f=1MHz		0.28	0.35	pF

表3 SEUCS2X3V1BB电气特性表

应用示例      

下图是湖南静芯推出的USB-C的应用方案，其中USB-C的八个引脚（Tx1±、Tx2±、Rx1±、Rx2±）用两个差分对组成两个超高速数据传输通道。由于接口在传输大量内容时数据线需要经常插拔，在热插拔的过程中有可能因为消费者的触摸或金属引脚短接引发静电放电（ESD）等问题，因此选择深回扫型ESD器件SEUCS2X3V1BB对引脚进行保护。

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图3 USB-C应用方案

VBUS引脚采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器ESTVS2200DRVR进行防护，低速数据差分线D+/D-使用本文介绍的深回扫型超低电容ESD器件SEUCS2X3V1BB进行防护，SBU和CC引脚由于靠近VBUS，有可能发生短路现象而暴露在20V电压下对系统造成伤害，故推荐使用湖南静芯研发的24V的深回扫低电容静电防护器件SEUCS2X24V1B。

总结与结论

SEUCS2X3V1BB拥有低电容低钳位电压的优异性能，可适用于USB 2.0 and USB 3.2接口的高速差分信号线防护。湖南静芯深回扫型系列ESD器件工作电压涵盖1.0~38V，电流涵盖4~30A，电容最低至0.1pF，封装涵盖CSP、FC及各类封装形式。同时推出22V&33V TDS平缓浪涌抑制器，可用于保护工作电压为20V、24V、28V、36V的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。结合TDS器件与深回扫ESD优势，湖南静芯是国内首家推出USB4.0完整解决方案的公司，详情可以参考：“湖南静芯推出USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防护完整解决方案100W+80G/120G”与“湖南静芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防护完整解决方案140W&180W+80G/120G”等文章。

​审核编辑 黄宇