三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

据韩媒报道，三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本，三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而，实际情况并未如愿。

据悉，尽管三星电子在去年底成功制得了1c nm DRAM的良品晶粒，但整体良率并未达到预期水平。因此，三星不得不将良率里程碑时间推迟至2025年6月，以确保产品质量的稳定性和可靠性。

这一变化可能会对三星对HBM4内存的规划产生影响。HBM4作为高性能内存，对良率和稳定性有着极高的要求。因此，三星在1c nm DRAM内存开发上的推迟，可能会使得HBM4的量产时间也相应延后。

三星电子一直致力于在内存技术方面保持领先地位，此次推迟无疑对其市场布局和产品计划带来了一定的挑战。未来，三星将需要更加努力地提升良率和生产效率，以满足市场需求并保持竞争力。