充电器芯片U2281TMB的主要特性

年后开工开学，新一波的手机充电器需求也逐渐兴起。特别是在国补政策优惠力度极大的当下，消费者的购买热情更甚年前。今天我们就基于小伙伴充电器项目的常规需求，给大家推荐一款市场口碑不错且极具性价比的充电器芯片——U2281TMB。

充电器芯片U2281TMB启动电流很低，小于10uA。因此，开关电源的启动电路可以使用大电阻，这将尽量减少待机损耗。启动电阻的典型电阻为4M欧姆。U2281TMB开关频率内部固定在65 kHz，在PCB设计中不需要外部频率设置组件。

充电器芯片U2281TMB主要特性：

1. 数字洗频技术，以提高EMI性能。

2. 固定的65 kHz PWM开关频率。

3. 内置前沿消隐

4. 内置同步斜率补偿，逐周期电流限制

5. 低备用功耗（<75mW@AC 230V）

6. 内置软启动，管脚浮空保护

7. 集成自恢复模式的保护功能：

VDD欠压保护（UVLO）

VDD过压保护 （OVP）

过热保护（OTP）

逐周期电流限制

过载保护（OLP）

短路保护（SCP）

前沿消隐（LEB）

CS管脚开路保护

8. 低启动电流（<10uA@VDD=12V）

充电器芯片U2281TMB封装形式SOT23-6，可做OB2263的替代，管脚如下：

1脚是VDD IC电源引脚。

2脚是 GND IC的接地。

3脚是FB反馈引脚。通过将光电耦合器连接到该引脚来实现环路调节。PWM占空比由该引脚电压和引脚4上的电流检测信号决定。

4 CS电流检测输入引脚。

5、6、7、8 脚是Darin功率MOSFET漏极。

充电器芯片U2281TMB GATE引脚具有300mA的吸收电流和150mA的源电流能力，MOSFET将缓慢导通并快速关断，从而使U2281TMB具有高效率和低辐射EMI。驱动电压的最高电压被箝位在12V。通过在电流检测输入电压上增加电压斜坡来集成斜率补偿电路，从而产生PWM。这大大提高了CCM的闭环稳定性，防止了次谐波振荡，从而降低了输出纹波电压。

深圳银联宝科技推出的充电器芯片方案，可以轻松满足六级节能标准和EMC的要求，具有全面的保护功能，保证了系统的可靠性，不管是价格还是品质都称得上是“真香系列”。具体信息可直接搜索深圳银联宝科技，专人解答您的各种难题！