从热失控到效率飞跃——仁懋三款MOS器件重塑储能电源设计

在户外电源、移动储能箱等便携式设备爆发式增长的背后，工程师们正面临严峻挑战：“高功率密度、低温升、长寿命”的“不可能三角”。
 

传统封装MOS器件受限于结构设计，应用在储能应用时，普遍存在三大致命伤:

1.过流瓶颈：键合线数量不足导致动态电流超限时烧毁；  

 

 

2.散热受限：热阻（Rthja）＞50℃/W，80%负载下温升超40℃； 

 

 

3. 体积束缚：封装尺寸挤占PCB空间，制约电池容量提升。 

 

 

仁懋电子TOLL封装系列（MOT6113HT/MOT8120T/MOT8125T）通过器件结构创新+工艺革命，直击上述痛点，为便携储能设备开启全新可能。 

 

 

技术突围：TOLL封装三大创新引擎

 

 

1. 多打线矩阵技术：优化电流分布，过流能力提升20% ，改善温度特性

 

 

针对瞬态浪涌电流导致的失效问题，MOT8120T采用16键合点矩阵布局（传统封装仅9-12点），通过优化电流分布路径，实现**单脉冲雪崩能量（EAS）达2176mJ，在2000W逆变器突加负载测试中，峰值电流耐受值提升至1200A（VDS=85V）。 

 

 

2. 铜夹片银烧结工艺：降低内阻、内阻，带来更好的温度特性及更低的导通损耗

 

 

MOT6113HT引入纳米银烧结+铜Clip一体成型技术，消除键合线界面热阻：

 

 

热阻（Rthjc）降至0.45℃/W，较传统工艺降低9%； 

 

 

导通电阻（RDS(on)）@10V仅1.25mΩ，同等尺寸下损耗减少15%。 

 

 

3. 定制化框架设计：晶圆利用率提升25% ，提供功率密度

 

 

自主开发的TOLL-DFN5x6兼容框架，MOT8125T不仅突破传统TOLL的6. 2mm2上限,将可封装芯片面积提升至8.6mm²。而且在18V/30A工况下，输出功率密度达48W/cm³，助力1000Wh储能箱体积缩小30%。 

 

 

场景化产品矩阵

 

 

每立方厘米的能效战争”，仁懋TOLL封装以“更冷、更小、更猛”的硬核实力，正在重新定义功率器件价值标准。