电子说
H6801 芯片关键参数汇总
类别 参数细节
输入电压范围 2.7V ~ 25V(工作范围);启动电压低至2.5V
输出电压范围 可调输出,最高36V(需外部反馈电阻设置)
工作模式 自动切换PWM/PFM/Burst模式,轻载效率优化
开关频率 固定390kHz,支持抖频技术(降低EMI)
转换效率 >95%(典型值,取决于外围设计)
待机功耗 EN拉低时,关机电流<2μA
保护功能 输入过压保护(OVP: 25.2V)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)
封装形式 ESSOP-10,底部散热片连接GND,优化散热
LDO供电 内置40V LDO,增强系统稳定性
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引脚功能定义(ESSOP-10封装)
引脚号 名称 功能描述
1 VIN 电源输入,需就近接滤波电容
2 EN 使能端:高电平(≥2V)工作;低电平(≤0.4V)关机
3 SS 软启动控制,外接电容设置启动时间(避免浪涌电流)
4 FB 反馈端,接电阻分压网络调节输出电压(公式:Vout = 0.8V × (1 + R1/R2))
5 COMP 补偿网络,连接RC电路稳定环路
6 GND 功率地,需低阻抗连接至散热铜箔
7-8 SW 开关节点,连接电感与肖特基二极管
9-10 NC 空脚
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保护功能详细规格
1. 输入过压保护(OVP)
o 触发阈值:25.2V ±5%
o 动作:停止升压,SW端关断,直至输入电压恢复至正常范围。
2. 过流保护(OCP)
o 峰值电流限制:通过外部电感及MOSFET参数设定(需计算电感饱和电流)。
3. 过温保护(OTP)
o 关断温度:150°C(典型值)
o 恢复温度:125°C(滞后设计,防止振荡)。
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设计注意事项
1. 电感选型
o 建议使用4.7~22μH饱和电流充足的电感,如铁硅铝磁芯材质,降低高频损耗。
2. 二极管选择
o 必须采用40V以上肖特基二极管(如SS34),以减小反向恢复损耗。
3. EMI优化
o 利用抖频特性,布局时减小SW节点环路面积,必要时添加RC snubber电路。
4. 散热设计
o PCB底部铺设GND铜箔并增加过孔,利用芯片散热片提升热性能。
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典型应用电路示例
12V输入 → 24V/2A输出
• 反馈电阻:R1=28.7kΩ, R2=1kΩ(Vout=0.8×(1+28.7/1)=24V)
• 电感:10μH/5A(推荐Coilcraft MSS1048)
• 输出电容:47μF陶瓷电容(X7R)+ 100μF电解电容(低ESR)
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应用场景扩展设计
• 太阳能供电系统:搭配MPPT算法控制器,输入侧增加TVS管防止浪涌。
• LCD背光驱动:FB端叠加PWM信号实现调光(需隔离电容避免干扰反馈)。
• 音频功放电源:输出级并联高频滤波电容(0.1μF陶瓷电容)抑制开关噪声。
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效率曲线参考
负载条件 效率(典型值)
轻载(10mA) 82% (PFM模式)
中载(500mA) 93% (PWM模式)
重载(2A) 96%
电路原理图

审核编辑 黄宇
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