化合积电推出硼掺杂单晶金刚石,推动金刚石器件前沿应用与开发

【DT半导体】获悉，化合积电为了大力推动金刚石器件的应用和开发进程，推出硼掺杂单晶金刚石，响应广大客户在金刚石器件前沿研究的需求。

金刚石，作为超宽带隙半导体，被公认为终极功率半导体，有可能彻底改变电力电子和射频电子。事实上，金刚石材料本身属于绝缘体，掺杂是实现金刚石电性能的重要途经。硼掺杂单晶金刚石兼具p型半导体的导电特性和金刚石自身优良的物理和化学性能，是制备高温、大功率半导体元器件的优选材料。

 

硼掺杂单晶金刚石是一种新型的p型半导体材料，具有稳定性强、击穿场强高、空穴迁移率大的优势。化合积电所生产的硼掺杂单晶金刚石可实现低浓度到高浓度的掺杂，低浓度的硼掺杂单晶金刚石具有良好的迁移率，适合作为半导体器件的主要材料；高浓度的硼掺杂单晶金刚石则具有电阻率低的特点，适合作为欧姆接触的电极。

检测结果

化合积电硼掺杂单晶金刚石拉曼特征峰FWHM：2.53cm-1

化合积电硼掺杂单晶金刚石摇摆曲线半高宽

XRD：47.3arcsec

化合积电硼掺杂单晶金刚石表面粗糙度：Ra 0.746 nm

化合积电硼掺杂单晶金刚石迁移率达到1400 c㎡/(Vs)，载流子实现从14到19次方

化合积电的掺硼单晶金刚石二次离子质谱（SIMS）检测结果显示，受主浓度在深度分布上均匀，激活率高（可达2.15%）