TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET应用与设计

LMG2100R044 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 （GaN） FET。该器件由两个 100V GaN FET 组成，由一个高频 90V GaN FET 驱动器驱动，采用半桥配置。

GaN FET 具有零反向恢复和非常小的输入电容 CISS 和输出电容 COSS，因此为功率转换提供了显著的优势。所有器件都安装在完全无键合丝的封装平台上，最大限度地减少了封装寄生元件。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

TTL 逻辑兼容输入可以支持 3.3V 和 5V 逻辑电平，而与 VCC 电压无关。专有的自举电压箝位技术确保增强型 GaN FET 的栅极电压在安全工作范围内。

该器件通过提供更用户友好的界面，扩展了分立式 GaN FET 的优势。对于需要高频、高效率运行、小尺寸的应用，它是理想的解决方案。

TI LMG2100R044数据表：
*附件：TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET.pdf

TI LMG2100R044应用简报：
*附件：GaN FET 在人形机器人中的应用.pdf

TI LMG2100R044技术文章：
*附件：GaN 将革新四种中压应用的电子设计.pdf