LMG3422EVM-043评估模块LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡概述

LMG342XEVM-04X具有两个LMG342XR0X0 600-V GaN FET，采用半桥配置，具有集成驱动器和保护功能，并具有所有所需的偏置电路和逻辑/功率电平转换。基本的功率级和栅极驱动、高频电流回路完全封闭在电路板上，以最大限度地减少功率回路寄生电感，从而减少电压过冲并提高性能。LMG342XEVM-04X配置为插座式外部连接，便于与外部电源级连接，以在各种应用中运行LMG342XR0X0。
*附件：LMG342XEVM-04X用户指南.pdf

LMG3422EVM-043 在半桥中配置了两个 LMG3422R030 GaN FET，具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外围电路。此 EVM 旨在与大型系统配合使用。

特征

• 输入电压最高可达 600 V
• 用于评估 LMG342XR0XX 性能的简单开环设计
• 板载单/双 PWM 输入，用于具有可变死区时间的 PWM 信号
• 逐周期过流保护功能
• 使用带有短接地弹簧探头的示波器探头进行逻辑和功率级测量的便捷探测点