LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于开关模式电源应用。该LMG2640通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器,简化了设计,减少了元件数量并减少了电路板空间。
与传统的电流检测电阻器相比,低侧电流检测仿真降低了功率耗散,并允许将低侧导热垫连接到冷却 PCB 电源接地。
*附件:LMG2640 集成 650V GaN 半桥数据表.pdf
高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中发现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降,避免了对高侧电源的过度充电,并且反向恢复电荷为零。
该 LMG2640 支持转换器轻载效率要求和突发模式作,具有低静态电流和快速启动时间。保护功能包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过温关断。
特性
参数
方框图

应用
•AC/DC适配器和充电器
•AC/DC USB壁式插座电源
•AC/DC辅助电源
•移动壁式充电器设计
•USB壁式电源插座
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