LMG3522EVM-042用户指南：具有集成驱动器子卡的 LMG3522R030-Q1 汽车级 650V 30mΩ GaN FET

LMG3522EVM-042 在半桥中配置了两个 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期过流保护、锁存短路保护功能和所有必要的辅助外围电路。此 EVM 旨在与大型系统配合使用。

*附件：具有集成驱动器子卡的 LMG3522R030-Q1 汽车级 650V 30mΩ GaN FET.pdf

LMG352XEVM-04X作为半桥子卡运行，可以是更大的定制设计系统的一部分，也可以与主板配对。TI提供两个主板（LMG342X-BB-EVM和LMG34XX-BB-EVM）与LMG352XEVM-04X接口。LMG342X-BB-EVM可支持高达4-kW的功率，LMG34XX-BB-EVM可提供高达1.7kW的功率。主板设计用于在开环同步降压或升压转换器中操作LMG352XROX0。提供探针位置以测量逻辑和功率级电压。
注：
TI提供了一个定制的插入板，当LMG352XEVM-04X与LMG34XX-BB-EVM配对时必须使用该插入板。LMG342x BB EVM不需要插入板。

LMG352XEVM-04X子卡
LMG352XEVM-04X具有两个半桥配置的LMG352XROX0 GaN FET。包括所有偏置和电平移位组件，这允许低侧参考信号控制两个FET。高频去耦电容器以优化的布局包含在功率级上，以最小化寄生电感并减少电压过冲。

特征

• 输入电压高达 650 V
• 用于评估 LMG3522R030-Q1 性能的简单开环设计
• 板载单/双 PWM 输入，用于具有可变死区时间的 PWM 信号
• 逐周期过流保护功能
• 使用带有短接地弹簧探头的示波器探头进行逻辑和功率级测量的便捷探测点

*附件：LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650 V 30 mΩ GaN FET 数据表.pdf