SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二极管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度系数、高浪涌电流、100% UIS测试等特性，可提高系统效率，减少散热需求，在并联使用时无热失控风险。
*附件：SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二极管.pdf

电气特性

• ‌最大反向电压：600V
• ‌正向平均电流‌：2A（具体值可能根据封装和散热条件有所不同）
• ‌正向电压降‌：典型值在指定电流下给出（需查阅数据手册具体数值）
• ‌反向漏电流：在指定温度和电压下的最大值（需查阅数据手册具体数值）

特征

符合AECQ-101 | 100%UIS测试 | 极小的反向恢复损耗 | 优异的高温特性

优势

优异的性能 | 减小系统体积 | 提升整体效率 | 减小散热面积 | 车规级器件 | 降低系统成本 | 降低电磁干扰

应用领域

光伏逆变器系统,充电器

典型性能

包装