SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二极管数据手册

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准，无卤且符合RoHS标准。产品具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作等特性，有助于提升系统效率，降低散热需求，在并联使用时也不会出现热失控问题。可应用于消费类开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）或DC/DC 阶段的升压二极管以及 AC/DC 转换器等领域。

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作。同时解决了Si二极管的耐压极限问题和反向恢复损耗较大的问题，碳化硅二极管成本相对较低，已经广泛使用。派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。

*附件：SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二极管数据手册.pdf

特征

• 符合AECQ-101
• 100%UIS测试
• 极小的反向恢复损耗
• 优异的高温特性

优势

• 优异的性能
• 减小系统体积
• 提升整体效率
• 减小散热面积
• 车规级器件
• 降低系统成本
• 降低电磁干扰

应用领域

• 光伏逆变器系统
• 充电器

热特性

典型性能

封装外形