SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二极管数据手册

P3D06002T2 是一款耐压 650V 的 SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101、RoHS标准，无卤。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% UIS测试等特性，可提升系统效率，减少散热需求，并联使用时无热失控风险，常用于消费类开关模式电源、PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管及 AC/DC转换器。

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作。同时解决了Si二极管的耐压极限问题和反向恢复损耗较大的问题，碳化硅二极管成本相对较低，已经广泛使用。派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。
*附件：SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二极管数据手册.pdf

特性

• 符合 AEC-Q101 标准
• 超快速开关
• 零反向恢复电流
• 高频运行
• 正向电压具有正温度系数
• 高浪涌电流
• 100% 经过 UIS 测试

优势

• 优异的性能
• 减小系统体积
• 提升整体效率
• 减小散热面积
• 车规级器件
• 降低系统成本
• 降低电磁干扰

应用领域

• 光伏逆变器系统
• 储能系统
• 新能源车用OBC
• 充电器

典型性能

封装