SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO-220-2 封装，符合 AEC-Q101 标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% UIS 测试等特点，有助于提高系统效率、减少散热需求、避免热失控，可应用于消费类开关电源、PFC 或 DC/DC 级的升压二极管、AC/DC 转换器等领域。
*附件：SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf

特点

• 符合 AEC-Q101 标准
• 超快开关速度
• 零反向恢复电流
• 适用于高频操作
• 正向电压具有正温度系数
• 高浪涌电流能力
• 100% 经过 UIS 测试（单脉冲雪崩能量测试）

优势

• 提高系统效率
• 降低对散热器的需求
• 基本无开关损耗
• 器件并联时不会出现热失控现象

应用领域

• 光伏逆变器系统
• 储能系统
• 服务器电源
• 新能源车用OBC

典型性能

封装外形