SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P6D06004T2 为 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2封装。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS 测试等特性，符合 RoHS标准。适用于消费类开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）或 DC/DC 阶段的升压二极管、AC/DC转换器等，在多种电子设备的电源转换环节发挥关键作用。
*附件：SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf

特性

• 超快开关速度
• 零反向恢复电流
• 适用于高频操作
• 正向电压具有正温度系数
• 高浪涌电流
• 100% 经过 UIS 测试

优势

• 优异的性能
• 减小系统体积
• 提升整体效率
• 减小散热面积
• 车规级器件
• 降低系统成本
• 降低电磁干扰

应用领域

• 消费类开关模式电源（SMPS）
• 功率因数校正（PFC）或直流 - 直流（DC/DC）阶段的升压二极管
• 交流 - 直流（AC/DC）转换器

最大额定值

热特性

封装外形