技术资料#LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 70mΩ GaN

LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有优势包括：超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低多达 80%），以及低开关节点振铃（可降低 EMI）。这些优势实现了像图腾柱 PFC 这样的密集和高效的拓扑结构。

*附件：具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN 数据表.pdf

LMG341xR070 通过集成一组独特的功能来简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能，从而为传统的共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 提供智能替代方案。集成栅极驱动可实现 100V/ns 开关，Vds 振铃接近于零，<100 ns 电流限制可防止意外击穿事件，过热关断可防止热失控，系统接口信号提供自我监控功能。

特性

• TI GaN 工艺通过加速可靠性应用内硬开关任务配置文件认证
• 支持高密度电源转换设计
  • 优于共源共栅或独立 GaN FET 的系统性能
  • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装，易于设计和布局
  • 可调节驱动强度，以实现开关性能和 EMI 控制
  • 数字故障状态输出信号
  • 仅需 +12 V 非稳压电源
• 集成栅极驱动器
  • 零共源电感
  • 20 ns 传播延迟（MHz 工作）
  • 工艺调谐的栅极偏置电压，确保可靠性
  • 25 至 100V/ns 用户可调转换速率
• 强大的保护
  • 无需外部保护元件
  • 具有 <100ns 响应的过流保护
  • 150V/ns 转换速率抗扰度
  • 瞬态过压抗扰度
  • 过热保护
  • 所有电源轨上的 UVLO 保护
• 设备选项：
  • LMG3410R070 ：锁存过流保护
  • LMG3411R070 ：逐周期过流保护

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品名称‌：LMG341xR070
• ‌类型‌：600V GaN功率晶体管，集成驱动器和保护功能
• ‌封装‌：QFN 32引脚，8mm x 8mm
• ‌应用‌：高密度工业和消费者电源供应、多级转换器、太阳能逆变器、工业电机驱动、不间断电源、高压电池充电器

2. 主要特性

• ‌超低输入和输出电容‌：减少开关损耗和EMI
• ‌零反向恢复‌：降低开关损耗高达80%
• ‌集成驱动器‌：
  • 20ns传播延迟
  • 可调斜率控制（25V/ns至100V/ns）
  • 内置低电压锁定（UVLO）保护
• ‌保护功能‌：
  • 过流保护（OCP），响应时间<100ns
  • 过温保护（OTP）
  • 瞬态过压免疫

3. 功能描述

• ‌直接驱动架构‌：利用集成的驱动器直接控制GaN FET，无需额外的驱动电路
• ‌内部降压-升压转换器‌：生成负电压用于GaN FET的关断
• ‌内部LDO‌：提供5V输出，用于外部数字隔离器
• ‌故障检测‌：
  • OCP：支持锁存或逐周期过流保护
  • OTP和UVLO：保护驱动器免受过热和欠压条件影响

4. 电气特性

• ‌ 最大漏源电压（VDS） ‌：600V
• ‌ 最大连续漏源电流（IDS） ‌：
  • Tj = 25°C时：40A
  • Tj = 100°C时：30A
• ‌ 导通电阻（RDS,ON） ‌：
  • Tj = 25°C时：70mΩ
  • Tj = 125°C时：110mΩ
• ‌LDO输出电压‌：4.7V至5.3V
• ‌UVLO阈值‌：
  • 开启阈值（VDD,(ON)）：9.1V
  • 关闭阈值（VDD,(OFF)）：8.5V

5. 应用指南

• ‌典型应用‌：硬开关和软开关应用，如功率因数校正（PFC）电路
• ‌布局建议‌：使用四层或更多层PCB，最小化功率环路电感，保持开关节点电容最小化
• ‌驱动强度调整‌：通过连接RDRV引脚和地之间的电阻来调整斜率控制，以优化稳定性和EMI性能

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：QFN 32引脚
• ‌尺寸‌：8.00mm x 8.00mm

7. 文档支持

• 提供详细的数据表、应用曲线、布局指南、设计支持文档和相关链接

8. 注意事项

• 确保在所有操作条件下不超过绝对最大额定值
• 在设计高密度电源系统时，需特别注意热设计和电磁兼容性（EMC）
• 使用推荐的外部元件和布局指南以获得最佳性能