SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流以及 100% UIS测试等特性。可提高系统效率，减少散热器需求，基本无开关损耗，器件并联时不会出现热失控现象，有助于优化电路性能，降低系统成本和体积。

*附件：SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf

特性

• 符合 AEC-Q101 标准
• 超快开关速度
• 零反向恢复电流
• 适用于高频操作
• 正向电压具有正温度系数
• 高浪涌电流
• 100% 经过 UIS 测试

标准优势

• 提高系统效率
• 降低对散热器的需求
• 基本无开关损耗
• 器件并联时不会出现热失控现象

应用领域

• 服务器电源
• 适配器

最大额定值

热特性

封装外形