芯片制造中薄膜厚度量测的重要性

文章来源：半导体与物理

原文作者：jjfly686

本文论述了芯片制造中薄膜厚度量测的重要性，介绍了量测纳米级薄膜的原理，并介绍了如何在制造过程中融入薄膜量测技术。  

在芯片制造的数百道工序中，薄膜沉积非常重要。从晶体管栅极氧化层到金属互连的阻挡层，每一层薄膜的厚度误差都必须控制在原子尺度（埃米级，1Å=0.1nm）。薄膜厚度量测，正是确保芯片制造中的有效保证。

芯片为何需要精确量测薄膜厚度？

1.1 电学性能参数

MOS晶体管：栅极氧化层（如SiO₂）厚度每减少0.1nm，漏电流可能指数级增加。例如，在7nm制程中，3Å的厚度偏差会导致晶体管阈值电压偏移超过10%。

金属互连层：铜阻挡层（如TaN）若过薄，铜原子会扩散到绝缘层引发短路；过厚则会增加线路电阻，降低芯片运行速度。

1.2 工艺控制

设备稳定性：薄膜沉积设备（如ALD、PVD）的工艺稳定性直接体现在膜厚均匀性上。

结构应力：在多层堆叠结构（如3D NAND闪存）中，每层薄膜厚度的累积误差可能导致整体结构应力失衡。

1.3 良率与成本

高价值晶圆：一片300mm晶圆价值数万美元，若因膜厚失控导致整批报废，损失可达千万级别。在线量测系统能提前拦截90%以上的膜厚异常。

测量纳米级薄膜原理

2.1 椭圆偏仪（Ellipsometry）

原理：利用偏振光在薄膜表面的反射相位差，通过建立光学模型反推膜厚。当光束以特定角度入射时，薄膜上下界面的反射光会发生干涉，相位差与膜厚成函数关系。

优势：非接触、可测1nm以下超薄膜，适用于透明介质（如SiO₂、SiN）。

局限：需已知材料光学常数（n、k值），对金属/高吸收材料灵敏度低。

2.2 X射线反射法（XRR）

原理：利用X射线在薄膜界面处的全反射临界角与膜厚的关联。当X射线以0.1°~1°掠入射时，反射强度曲线会出现周期性振荡，振荡周期与膜厚成反比。

案例：可测量1Å精度的超薄高k材料（如HfO₂），甚至能分辨5层以上的叠层结构。

挑战：设备昂贵，需真空环境，测量速度较慢。

2.3 光学干涉法（Optical Interferometry）

原理：通过测量薄膜表面与基底反射光的光程差计算厚度。在台阶结构处，利用白光干涉产生的彩色条纹间距推算膜厚。

应用：常用于金属膜（如铜互连层）、光刻胶厚度检测，精度可达±0.1nm。

薄膜量测如何融入制造流程

3.1 在线量测（In-line Metrology）系统

时机选择：在关键薄膜沉积/刻蚀工序后立即插入量测站，例如栅极氧化层生长后、金属阻挡层沉积前。

采样策略：每片晶圆测量9~49个点（边缘、中心、45°斜角等），绘制厚度分布热力图。对于EUV光刻胶等敏感材料，甚至需全片扫描。

3.2 量测-刻蚀协同优化

动态调整：在双重自对准工艺中，先量测硬掩模厚度，再动态调整刻蚀时间。例如，若SiN硬掩模实测厚度为42nm（设计值40nm），刻蚀机将自动延长2秒反应时间。

3.3 跨层关联分析

联动建模：将薄膜厚度数据与后续工艺参数（如CMP抛光速率、光刻焦深）联动建模。