SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和RoHS标准。封装形式为 TO - 263 - 2。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。

*附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf

特性

• 符合 AEC-Q101 标准
• 超快开关速度
• 零反向恢复电流
• 适用于高频操作
• 正向电压具有正温度系数
• 高浪涌电流
• 100% 经过 UIS 测试

优势

• 提高系统效率
• 降低对散热器的需求
• 基本无开关损耗
• 符合 RoHS 标准
• 器件并联时不会出现热失控现象

应用领域

• 消费类开关模式电源（SMPS）
• 功率因数校正（PFC）或直流 - 直流（DC/DC）阶段的升压二极管
• 交流 - 直流（AC/DC）转换器

最大额定值

热特性

封装外形