热保护型瞬态抑制二极管(TTVS)应用

在通信电源行业，特别是无线通信的塔上48V电源，需要高浪涌等级、低残压的高要求，传统的多间隙气体放电管（GDT）、压敏电阻（MOV）、瞬态抑制二极（TVS）管组成的多级防护方案不仅存在空间占用大，还存在退耦器件能耗高，很难满足当前大功率通信设备的需求。

用热保护型瞬态抑制二极管（TTVS）替代传统方案，不仅占用空间小，简化退耦器件，还具有自身劣化损坏的热保护功能，降低短路失效导致火灾风险。

 

 

TTVS产品是具有热保护功能的瞬态抑制二极管（TVS）。当TVS在应用中出现击穿损坏时，自带热保护功能能及时将其从电路中脱离，避免火灾隐患的产生。

 

 

TTVS产品类型：

机械脱扣式、温度保险丝(ATCO)熔断式.
 

 

TTVS产品特点：
功能：过压保护+过热保护+状态指示

1、过载时泄放电流，保护后备电路。

2、失效时断开电路，避免火灾隐患。

3、断开时状态指示，提醒更换器件。

4、优势：空间小、残压低、响应快、不易劣化。

5、封装：贴片（回流焊）、插件（波峰焊）。

6、应用：48V通讯基站、通信电源等系统防护。

 

赛尔特（SETsafe | SETfuse）的“TTVS”产品具有优良的脱扣性能，相关技术、安规认证、环保等信息如下。从2019年推向市场，深受客户喜欢。

标称放电电流范围：(15 ~ 20) kA。

最大连续工作电压范围：（58 ~ 76）VDC。

安规认证：TUV。

封装：贴片式（SMD）、插件式。

热保护方式：机械脱扣式、温度保险丝（ATCO）熔断式。

符合RoHS、REACH要求。

 

赛尔特（SETsafe | SETfuse）已量产规格：更多规格可开发定制。

型号	静态参数				防雷参数
	击穿电压	击穿电压测试电流	泄露电流	静态电容	最大工作电压	电压保护水平	标称放电电流
	VBR@IT	IT	IR@VR	C@10KHz	Uc	Up@In	In@8/20μs
	V	mA	μA	nF	V	V	KA
TTVS15M*(K)*58-001	67±3	10	20	18	58	140	15
TTVS15M*(K)*66-001	76±4	10	20	15	66	160	15
TTVS15M*(K)*76-001	90±5	10	20	12	76	180	15

*（TTVS15M(K)58-001，M为贴片封装，（K）为插件封装）。

 

 

M系列电路原理图，其中P1、P3为主回路引脚，P2为监测引脚，P4无实际连接。

 

K系列电路原理图，其中P1、P3为主回路引脚，P2为监测引脚。

 

赛尔特（SETsafe | SETfuse）的TTVS具有优良的脱扣性能，以下为机械脱扣式和ATCO（温度保险丝）熔断式的脱扣能力对比：

产品类别	机械脱扣式	ATCO（温度保险丝）熔断式
脱扣原理	产品击穿、芯片发热、合金熔化、滑块脱扣、实现滑块隔离断开。	产品击穿、芯片发热、合金熔断、向两端收缩、实现助熔断剂隔离断开。
响应速度	50 A：脱扣时间小于1秒。	50 A：脱扣时间大于5秒。
电流等级	≤200 A。	≤50 A。
推荐封装	贴片式（SMD）、插件。	插件。
优劣势	响应快、大电流脱扣、结构空间大，性价比高。	低电流脱扣、结构空间小、成本适中。

赛尔特（SETsafe | SETfuse）的TTVS拥有非常优异的性能，产品通过多项性能测试包括但不限于：

高温雷击测试：

产品放置95℃的温箱模拟高温工况，加电Uc，冲击电流In±10次，测试后样品无损伤，漏电流＜50 μA，击穿电压变化率＜10%。

热稳定测试：

样品连接至工频电源，第一只从2 mA开始，逐次递加2 mA，每次需达到热平衡，连续检测样品表面最高温度，直至样品脱扣为止。测试过程中不得出现明火，最高温升＜120K，试验后5分钟最高温升＜80 K。

高电压脱扣有效性：

施加高电压至样品失效，确认样品是否安全失效，电流等级50 A、100 A、150 A。

回流焊测试：

按指定回流焊曲线（满足客户指定回流焊窗口上限要求），进行3次测试。测试后样品无损伤，漏电流＜50 μA ，压敏电压变化率＜10%。

高温高湿测试：

产品可依据客户要求模拟温度85 ℃，湿度85RH 进行1000小时试验，测试后样品无损伤，漏电流＜50 μA，击穿电压变化率＜10%。

温度循环测试：

产品可依据客户要求模拟温度-40 ~ 125 ℃，进行1000个循环试验，测试后样品无损伤，漏电流＜50 μA，击穿电压变化率＜10%。