DS1265AB 8M非易失SRAM技术手册

概述
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
数据表：*附件：DS1265AB 8M非易失SRAM技术手册.pdf
特性

• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• 70ns的读写存取时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• ±10% VCC工作范围(DS1265Y)
• 可选择±5% VCC工作范围(DS1265AB)
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
  引脚配置
  
  推荐的DC操作条件
  
  时序图