SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正温度系数、高浪涌电流能力且 100% 经过 UIS测试等特性。这些特性有助于提升系统效率、减少散热需求、降低开关损耗，还能实现器件并联而无热失控风险。

*附件：SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf

特性

• 通过 AEC-Q101 认证
• 超快速开关
• TO-263-2 封装
• 零反向恢复电流
• 高频运行
• 正向电压具有正温度系数
• 高浪涌电流
• 100% 进行 UIS 测试

优势

• 优异的性能
• 减小系统体积
• 提升整体效率
• 减小散热面积
• 车规级器件
• 降低系统成本
• 降低电磁干扰

应用领域

• 消费类开关模式电源（SMPS）
• 功率因数校正（PFC）或直流 / 直流（DC/DC）阶段的升压二极管
• 交流 / 直流（AC/DC）转换器

最大额定值

热特性

封装外形