MXD1210非易失RAM控制器技术手册

概述

MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。
数据表：*附件：MXD1210非易失RAM控制器技术手册.pdf

应用

• µP控制系统
• 计算机：台式机、工作站和服务器
• 嵌入式系统

特性

• 备用电池
• 存储器写保护
• 工作模式静态电流：230µA
• 备用模式静态电流：2nA
• 电池保鲜密封
• 可选冗余电池
• VCC 电源开关具有低正向压降
• 5%或10%电源故障检测选项
• 在上电期间测试电池状况
• 采用8引脚SO封装

引脚配置

非易失性RAM控制器