自研体二极管技术如何改写户储MOS游戏规则？

户储行业痛点：PFC电路的“沉默杀手”
 

在家庭储能系统普及率突破18%的今天，PFC（功率因数校正）电路MOS失效却成为行业隐形痛点——某第三方检测机构数据显示，32%的户储设备故障源于MOS温升超标或体二极管反向恢复失效。传统MOS器件在户用场景下面临双重暴击：

 

 

 *开关损耗困局：Qg与Coss失衡导致驱动延迟，20kHz工况下损耗激增40%；

 

 

 *体二极管“反杀”：Qrr＞150nC引发电压尖峰，造成栅极震荡甚至炸机。

仁懋电子SJ-MOS系列（MOT65R070W3等）通过“结构+材料+工艺”三维革新，为户储系统打造高可靠、高效率的PFC解决方案。

 

 

 

技术破壁：三大核心创新直击失效本源

 

 

1. 驱动效能跃迁：Qg/Coss比值优化50%

 

 

针对驱动干扰导致的效率衰减，MOT65R028W3采用梯度掺杂屏蔽栅技术：

 

 

- 输入电容（Ciss）降至1800pF，Qg×RDS(on)综合指数较竞品降低37%；

 

 

- Coss/Ciss比值优化至1:8，驱动抗干扰能力提升3倍，实测20kHz开关损耗减少28%。

 

 

2. 雪崩战力升级：EAS突破行业天花板

 

 

基于超结（SJ）深度刻蚀工艺，MOT65R040W3实现性能跃升：

 

 

- 开关速度（trr）缩短至28ns，支持150kHz高频PFC拓扑；

 

 

- 单脉冲雪崩能量（EAS）达380mJ，可抵御家庭电网380V浪涌冲击。

 

 

3. 体二极管重构：Qrr压降60%

 

 

MOT65R070W3通过复合缓冲层+载流子寿命控制技术，根治反向恢复顽疾：

 

 

- Qrr降至55nC（竞品普遍＞130nC），反向恢复电流（Irr）峰值削减42%；

 

 

- di/dt耐受能力＞300A/μs，消除PFC电路中VDS震荡导致的栅极误触发。

 

 

仁懋场景化产品矩阵

 

 

| 型号      | 杀手锏特性     | 适配场景               

 

 

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| MOT65R028W3 | 超低Qg+高频响应 | 3kW交错式PFC架构       

 

 

| MOT65R040W3 | 高EAS+快速开关  | 光伏储能一体机BOOST电路  

 

 

| MOT65R070W3 | 超低Qrr+抗di/dt      | 双向LLC谐振变换器     

 

 

当家庭储能从“可用”向“高可靠、高收益”进阶，仁懋SJ-MOS正在重塑户用能源心脏。