SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装。通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高浪涌电流能力且 100% 经过 UIS 测试等特性。符合 RoHS标准，能提升系统效率、减少散热需求、降低开关损耗，器件并联无热失控风险。
*附件：SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf

特性

• 通过 AEC-Q101 认证
• 超快速开关
• TO-252-2 封装
• 零反向恢复电流
• 高频运行
• 正向电压具有正温度系数
• 高浪涌电流
• 100% 进行 UIS 测试

标准优势

• 提高系统效率
• 降低散热片需求
• 基本无开关损耗
• 符合 RoHS 标准
• 器件并联时无热失控风险

应用领域

• 消费类开关模式电源（SMPS）
• 功率因数校正（PFC）或直流 / 直流（DC/DC）阶段的升压二极管
• 交流 / 直流（AC/DC）转换器

最大额定值

热特性

封装外形