近日,华大半导体与湖南大学在上海举办SiC功率半导体技术研讨会,共同探讨SiC功率半导体在设计、制造、材料等领域的最新进展及挑战。
会上,湖南大学电气与信息工程学院王俊教授详细介绍了SiC功率半导体芯片设计与应用领域的热点问题及团队所取得的最新研究成果,翟东媛副教授围绕缺陷测试方面的前沿趋势和团队已有的研究基础,进行系统而深入的阐述。
公司4位技术专家也带来精彩的分享,结合行业专业会议ICSCRM的热点议题,就企业SiC MOSFET工艺、电动汽车用SiC MOSFET及SiC材料领域的最新进展和挑战等话题进行深入剖析。
本次会议为公司与湖南大学搭建了一个高效的交流协作平台,双方开展热烈讨论与交流,气氛活跃、互动频繁,取得良好效果。
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