SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装。其通过了 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行等特性，正向电压具有正温度系数，能承受高浪涌电流，且所有产品都经过 100% UIS测试。这些特性使得该二极管可提升系统效率、减少散热需求、降低开关损耗，符合 RoHS 标准，在器件并联时也不会出现热失控现象。

*附件：SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf

特性

• 通过 AEC-Q101 认证
• TO-263-2 封装
• 超快速开关
• 零反向恢复电流
• 高频运行
• 正向电压具有正温度系数
• 高浪涌电流
• 100% 进行 UIS 测试

标准优势

• 提高系统效率
• 降低散热片需求
• 基本无开关损耗
• 符合 RoHS 标准
• 器件并联时无热失控风险

应用领域

• 消费类开关模式电源（SMPS）
• 功率因数校正（PFC）或直流 / 直流（DC/DC）阶段的升压二极管
• 交流 / 直流（AC/DC）转换器

最大额定值

热特性

封装外形