MP1918数据手册#100V、高频、半桥 GaN/MOSFET 驱动器

MP1918 是一款 100V 半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动具有低栅极阈值电压的增强型氮化镓 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。
*附件：MP2797 中文数据手册.pdf
开源#评估板原理图和PCB设计文件下载
*附件：evq1918-qe-01a_schematic.zip
*附件：evq1918-qe-01a_layout.zip

MP1918 具有独立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。它为上管 (HS) 驱动器电压提供自举 (BST) 技术，且工作电压高达 100V。它采用新型充电技术预防 HS 驱动器电压超过 VCC 电压 (V CC )，从而防止栅极电压超过 GaN FET 的最大栅源电压额定值。

MP1918 提供两个独立栅极输出，通过向栅极环路添加阻抗可以独立调节导通与关断。MP1918 的运行频率可达数兆赫兹。

MP1918 采用侧面镀锡的 QFN-14 (3mmx3mm) 封装。

产品特性和优势

• 独立的上管 (HS) 和下管 (LS) TTL 输入
• 上管 (HS) 浮动偏置电压轨运行电压高达 100VDC
• 独立栅极输出实现可调导通/关断功能
• 内部自举 (BST) 开关电源电压钳位
• 3.7V 至 5.5V VCC 电压 (V CC ) 范围
• 0.27Ω/1.2Ω 下拉/上拉电阻
• 快速传播时间
• 出色的传播延迟匹配能力（通常为 1.5ns）
• 采用侧面镀锡的 QFN-14 (3mmx3mm) 封装

100V 半桥 GaN/MOSFET 驱动器评估板

EVQ1918-QE-01A 是用于演示 MPQ1918-AEC1 功能的评估板。MPQ1918-AEC1 是一款半桥驱动器，可在半桥或同步应用中驱动增强型氮化镓 (GaN) FET 或低栅极阈值电压 N 沟道 MOSFET。

EVQ1918-QE-01A 可配置为降压变换器，由 MPQ1918-AEC1 驱动 GaN FET。它支持开环控制，并可通过调节脉宽调制（PWM）信号的占空比来设置输出电压（V OUT ）。

该板只需一个 PWM 信号；由板载电路生成具有适当死区时间 (DT) 的 PWML 和 PWMH 信号。在实际应用中，需由控制器负责 DT 调整。

MPQ1918-AEC1 采用侧面镀锡的 FCQFN -14 (3mmx3mm) 封装。