DRF5162使用高功率、100W峰值、硅SPDT、反射式开关，0.4GHz至8GHz技术手册

概述
ADRF5162 是一种反射式单刀双掷 （SPDT） 开关采用硅工艺制造。

该ADRF5162的工作频率范围为 0.4 GHz 至 8 GHz，典型插入频率 损耗为 0.6 dB，典型隔离为 45 dB。该设备具有 射频 （RF） 输入功率处理能力为 45.5 dBm 插入损耗路径的平均功率和 50 dBm 峰值功率。

该ADRF5162在正电源上消耗 130 μA 的低电流 的电压为 +3.3 V，负电源为 −3.3 V，为 500 μA。设备 采用互补金属氧化物半导体 （CMOS）/低压 晶体管到晶体管逻辑 （LVTTL） 兼容控件。 ADRF5162不需要额外的驱动电路，这使得 它是基于 GaN 和 PIN 二极管的开关的理想替代品。

ADRF5162 采用 24 引脚、4.0 mm × 4.0 mm 封装，符合 RoHS 标准 引线框架芯片级封装 （LFCSP） 封装和 CAN 工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。
数据表：*附件：DRF5162使用高功率、100W峰值、硅SPDT、反射式开关，0.4GHz至8GHz技术手册.pdf

应用

• 军用无线电、雷达和电子对抗措施
• 蜂窝基础设施
• 测试和仪器
• 更换 GaN 和 PIN 二极管
  特性
• 频率范围：0.4 GHz 至 8 GHz
• 低插入损耗：4 GHz 时为 0.6 dB（典型值）
• 高隔离度：45 dB（典型值，4 GHz 时）
• 高输入线性度
  • 0.1 dB 功率压缩 （P0.1dB）：49 dBm
  • 三阶交调截点 （IP3）：>76 dBm
• TCASE = 85°C 时的高功率处理能力：
  • 插入损耗路径
    • 平均：45.5 dBm
    • 脉冲（>100 ns 脉冲宽度，15% 占空比）：48.5 dBm
    • 峰值（≤100 ns 峰值持续时间，5% 占空比）：50 dBm
  • RFC 热切换：43 dBm
• 0.1 dB RF 建立时间（PIN ≤ 43 dBm）：1.2 μs
• 无低频杂散
• 正控制接口：CMOS/LVTTL 兼容
• 24引脚、4.0 mm × 4.0 mm LFCSP封装

引脚配置

接口示意图

RF端口内部匹配50ω，引脚排列设计用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波导(CPWG)。图15显示了采用10密耳厚Rogers RO4350电介质材料的RF基板的referencedCPWG RF走线设计。对于2.8密耳的精加工铜厚度，建议使用宽度为18密耳、间隙为13密耳的RF走线。

图17显示了参考叠层上从器件RF引脚到50ωCPWG的推荐布局。PCB焊盘与器件焊盘的比例为1:1。接地焊盘绘制为阻焊层定义，信号焊盘绘制为焊盘定义。从PCB焊盘引出的RF走线以相同的宽度延伸，并延伸至RF走线。糊掩模也被设计成在没有任何孔径减小的情况下匹配衬垫。糊状物被分成多个用于搅拌的开口。