ADRF5022 100MHz至45GHz硅SPDT非反射式开关技术手册

概述
ADRF5022是一款非反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。

ADRF5022的工作频率范围为100 MHz至45 GHz，典型插入损耗为2.3 dB，隔离度为43 dB。该器件的直通路径、端接路径和RF公共端口热切换分别具有30 dBm、24 dBm和30 dBm的RF输入功率处理能力。

ADRF5022需采用3.3 V正电源和−3.3 V负电源供电。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。

ADRF5022也可以在单个正电源电压(V DD )下工作，同时负电源电压(V SS )接地。在此工作条件下，可在降低开关特性、线性度和功率处理性能的同时保持小信号性能。有关更多详细信息，请参阅数据手册中的表2。

ADRF5022与ADRF5023低频截止版本引脚兼容，工作频率范围为9 kHz至45 GHz。

ADRF5022采用符合RoHS标准的20引脚、3.0 mm × 3.0 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围可为−40°C至+105°C。
数据表：*附件：ADRF5022 100MHz至45GHz硅SPDT非反射式开关技术手册.pdf

应用

• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G毫米波
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 工业扫描仪
  特性
• 超宽带频率范围：100 MHz至45 GHz
• 非反射设计
• 低插入损耗
  • 1.2 dB（典型值）至18 GHz
  • 1.9 dB（典型值）至40 GHz
  • 2.3 dB（典型值）至45 GHz
• 高隔离度：43 dB（典型值）至45 GHz
• 高输入线性度
  • 0.1 dB功率压缩(P0.1dB)：31 dBm
  • 三阶交调点(IP3)：55 dBm
• TCASE = 85°C时具有高功率处理能力
  • 30 dBm（直通路径）
  • 24 dBm（端接路径）
  • 30 dBm热切换（RFC端口）
• RF建立时间（0.1 dB最终RF输出）：30 ns
• 无低频杂散信号
• 全部关断状态控制
• 正控制接口：CMOS/LVTTL兼容
• 20引脚、3.0 mm × 3.0 mm LGA封装
• 与ADRF5023引脚兼容，低频截止版本

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5022有两个电源引脚(VDo和Vss)和两个控制引脚(CTRL和EN)。图18显示了电源和控制引脚的外部元件和连接。voo和Vss引脚通过一个100 pF多层陶瓷电容去耦。器件引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但当RF线路偏置电压不同于0v时，RF引脚上的DC隔直电容除外，详情参见“引脚配置和功能描述”部分。