ADRF5080 100MHz至20GHz反射式硅SP8T开关技术手册

概述
ADRF5080是一款反射式SP8T开关，采用硅工艺制造。ADRF5080的工作频率范围为100 MHz至20 GHz，插入损耗低于2.0 dB，隔离性能高于40 dB。针对插入损耗路径，该器件具有30 dBm（连续波功率）的RF输入功率处理能力。

ADRF5080采用+3.3 V和−3.3 V双电源供电。该器件还可以采用单电源电压(VDD)供电，同时负电源引脚(VSS)接地。

ADRF5080采用兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)的控件。

ADRF5080采用符合RoHS标准的36引脚、5.50 mm × 5.50 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。
数据表：*附件：ADRF5080 100MHz至20GHz反射式硅SP8T开关技术手册.pdf

应用

• 测试和仪器仪表
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
  特性
• 超宽带频率范围：100 MHz至20 GHz
• 低插入损耗
  • 1.3 dB，高达6 GHz
  • 1.6 dB，高达12 GHz
  • 2.0 dB，高达20 GHz
• 高隔离度
• 46 dB，高达6 GHz
• 45 dB，高达12 GHz
• 40 dB，高达20 GHz
• 高输入线性度
• P0.1dB：33 dBm（典型值）
• IP3：55 dBm（典型值）
• 高RF功率处理
  • 插入损耗路径：33 dBm
  • 热切换：30 dBm
• 快速开关时间：55 ns
• 0.1 dB建立时间（50%VCTRL至0.1 dB最终RF OUT ）：100 ns
• 单电源供电能力
• 全部关断状态控制
• 逻辑选择控制
• 无低频杂散
• 36引脚、5.50 mm x 5.50 mm LGA封装

引脚配置

接口示意图

ADRF5080有两个电源引脚(VDD和VSS)和五个数字控制引脚(LS、EN、V1、V2和V3)。图27显示了电源和控制引脚的外部元件和连接。电源和控制引脚通过一个10 pF或100pF多层陶瓷电容去耦。器件引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。当RF线路偏置电压不为0 V时，除了RFx引脚上的隔直电容之外，偏置和工作不需要其他外部元件，详情参见“引脚配置和功能描述”部分。

RF端口内部匹配50ω，引脚排列设计用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波导(CPWG)。图28显示了采用8密耳厚RogersRO4003电介质材料的RF基板的referencedCPWG RF走线设计。对于2.8密耳的精加工铜厚度，建议使用14密耳宽和7密耳间隙的RF走线。