ADRF5347高线性度、硅SP4T开关，1.8GHz至3.8GHz技术手册

概述
ADRF5347 是一款利用硅工艺制造的高线性度、反射式单刀四掷 (SP4T) 开关。

ADRF5347 的工作频率范围为 1.8GHz 至 3.8GHz，具有优于 0.42dB 的典型插入损耗和 84dB 典型输入 IP3。该套件对连续波信号的射频输入功率处理能力为 39dBm，对长期演进 (LTE) 信号的平均射频输入功率处理能力为 39dBm，峰值为 49dBm。

ADRF5347 在 +5.0V 的正电源上消耗 2.5mA 的电流，在 -3.4V 的负电源上消耗 0.4mA 的电流。该套件采用低压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容的控制。

ADRF5347 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 4 mm × 4 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。

出色的回波损耗和 IP3 使 ADRF5347 能够在背靠背的配置中用于相移架构。有关更多信息，请参阅背靠背移相器参考设计部分。
数据表：*附件：ADRF5347高线性度、硅SP4T开关，1.8GHz至3.8GHz技术手册.pdf

应用

• 5G 天线倾斜和波束合成
• 无线基础设施
• 军事和高可靠性应用
• 测试设备
• 引脚二极管替代器件
  特性
• 低插入损耗
  • 0.35dB 至 2.8GHz（典型值）
  • 0.42dB 至 3.8GHz（典型值）
• 高输入线性度，IP3：84dBm（典型值）
• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
• 长期（>10 年）平均值
  • 连续波功率：39dBm
  • 长期演进信号
    • 平均功率：39dBm
    • 峰值功率：49dBm
• 快速 0.1dB 建立时间：720ns（典型值）
• ESD 额定值
  • HBM：1000V，1B 级
  • CDM：750V，C4 级
• 正控制，兼容 LVCMOS-/LVTTL
• 4mm x 4mm，20 端子 LGA 封装

引脚配置

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  接口示意图
  
  典型性能特征
  
  每当任何控制输入(V1、V2和LS)发生变化并启动开关时，就会触发ADRF5347的集成控制电路。在触发实例之后，控制输入必须在tpRoG内建立其最终值，并保持tHOLD。关闭后完成切换，之后可施加全射频功率。开关状态在tpRoc之后定义，控制电路不会处理控制输入上的任何进一步变化，直到tpRoc失效。在t读取持续时间内，控制输入仍可被编程，并且一旦开关准备好进入新状态，如果编程状态不同于现有状态，则控制电路被触发。