ADRF5050非反射式硅SP4T开关，100MHz至20GHz技术手册

概述

ADRF5050是一款非反射式SP4T开关，采用绝缘硅(SOI)工艺制造。ADRF5050的工作频率范围为100 MHz至20 GHz，具有低于1.20 dB的插入损耗以及高于47 dB的隔离性能。对于直通路径，该器件具有33 dBm的射频输入功率处理能力。

ADRF5050采用+3.3 V和−3.3 V双电源供电。该器件还可以采用单正电源电压(VDD)供电，同时负电源引脚(VSS)接地。单电源工作条件需要较低的工作功率，同时保持出色的小信号性能。

ADRF5050采用兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)和低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)的控件。该器件具有使能和逻辑选择控制特性，可分别提供全部关断状态和端口镜像功能。

ADRF5050与ADRF5042和ADRF5043引脚兼容。

ADRF5050采用符合RoHS标准的24引脚、3 mm × 3 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。
数据表：*附件：ADRF5050非反射式硅SP4T开关，100MHz至20GHz技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

特性

• 超宽带频率范围：100 MHz至20 GHz
• 非反射式50 Ω设计
• 低插入损耗
  • 0.9 dB（典型值）至6 GHz
  • 1.00 dB（典型值）至12 GHz
  • 1.20 dB（典型值）至20 GHz
• RFx和RFx之间高隔离度
• 54 dB（典型值）至6 GHz
• 50 dB（典型值）至12 GHz
• 47 dB（典型值）至20 GHz
• 高输入线性度
• P0.1dB：34 dBm（典型值）
• IP3：55 dBm（典型值）
• 高RF功率处理
  • 通过路径：33 dBm（高达20 GHz）
  • 端接路径: 18 dBm（高达20 GHz）
• 开关时间：55 ns
• 0.1 dB建立时间（50% VCTRL至0.1 dB最终R FOUT ）：80 ns
• 全部关断状态控制
• 逻辑选择控制
• 单电源供电，具有降额功率处理能力
• 无低频杂散
• 24引脚、3 mm × 3 mm，基板栅格阵列(LGA)封装
• 与ADRF5042和ADRF5043引脚兼容

功能框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5050有两个电源引脚(VDD和VSS)和四个控制引脚(LS、EN、V1和V2)。图26显示了电源和控制引脚的外部元件和连接。电源和控制引脚通过100多层陶瓷电容去耦。尽可能靠近ADRF5050放置去耦电容。器件引脚排列允许将去耦电容放置在ADRF5050附近。偏置和工作不需要其它外部元件，但当RF线路偏置电压不为0v时，RFx引脚上的DC隔直电容除外。详情参见“引脚配置和功能描述”部分。