TPS7A37 具有反向电流保护和使能功能的 1A、高精度、超低压降稳压器数据手册

TPS7A37 系列线性低压降 (LDO) 稳压器在一个电压随耦器配置中使用一个 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 导通元件。 该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。 负载瞬态响应出色，即使与 1μF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。 NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。
*附件：TPS7A37 具有反向电流保护功能的1%高精度、1A低压降稳压器.pdf

TPS7A37 系列使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺，可在传送极低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。 未使能状态下的电流消耗小于 20nA，非常适合便携式 应用。 这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。

特性

• 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容搭配工作时保持稳定
• 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
• 超低压降电压：
  • 1A 时的最大电压为 200mV
• 出色的负载瞬态响应 - 即使与仅为 1μF 的输出电容搭配使用也依旧出色
• NMOS 拓扑结构可提供低反向泄漏电流
• 出色的精度：
  • 0.23% 标称准确度
  • 整个线路、负载和温度范围内的总精度为 1%
• 关断模式下的 IQ 典型值小于 20nA
• 用于故障保护的热关断和电流限制

参数

方框图

一、产品概述

TPS7A37是一款具有反向电流保护功能的1%高精度、1A低压降（LDO）稳压器。它采用NMOS拓扑结构，适用于便携式设备、数字信号处理器（DSP）、现场可编程门阵列（FPGA）等需要高精度、低反向泄漏电流和超低压差的应用。

二、主要特性

• ‌高精度‌：整个线路、负载和温度范围内的总精度为1%，标称准确度为0.23%。
• ‌超低压差‌：1A负载下的最大压差电压为200mV。
• ‌反向电流保护‌：NMOS拓扑结构提供低反向泄漏电流，保护电路免受反向电流损害。
• ‌快速瞬态响应‌：即使与仅为1μF的小型陶瓷输出电容搭配使用，也能实现出色的负载瞬态响应。
• ‌低功耗‌：关断模式下的静态电流典型值小于20nA，适合便携式应用。
• ‌热关断和电流限制‌：提供热关断和折返电流限制保护，防止器件在过载或短路条件下损坏。

三、电气特性

• ‌输入电压范围‌：2.2V至5.5V。
• ‌输出电压范围‌：固定电压版本包括1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V等多种选择；可调电压版本输出范围更灵活。
• ‌输出电流‌：最大1A。
• ‌压差电压‌：1A负载下典型值为200mV。
• ‌静态电流‌：关断模式下典型值为20nA。
• ‌热关断温度‌：约160°C。

四、功能描述

• ‌内部电流限制‌：提供内部电流限制功能，保护器件在过载或短路条件下不受损坏。折返电流限制在输出短路时进一步减少电流，防止器件过热。
• ‌ 使能引脚（EN） ‌：EN引脚用于控制稳压器的开启和关闭。当EN引脚电平低于0.5V时，稳压器进入关断模式，静态电流降至约20nA。
• ‌反向电流保护‌：NMOS导通元件的拓扑结构使得TPS7A37具有固有的反向电流保护能力。当输入电压降至低于输出电压时，可防止电流从输出流向输入。

五、应用信息

• ‌电容选择‌：建议在输入端连接一个0.1μF至1μF的低ESR陶瓷电容，以改善瞬态响应、噪声抑制和纹波抑制。输出端需要至少1μF的陶瓷电容以确保稳定性。
• ‌布局建议‌：为了优化性能，应将输入和输出电容尽可能靠近稳压器放置，并使用短而宽的走线连接电容和稳压器引脚。同时，应避免使用长走线和过孔，以减少寄生电感和电容。
• ‌散热设计‌：根据功率耗散和封装类型，合理设计PCB布局以确保器件的工作结温不超过最大允许值（125°C）。对于高功率应用，可能需要使用散热片或风扇等附加散热措施。

六、封装与尺寸

• 提供WSON-6封装选项，封装尺寸为2.00mm x 2.00mm。
• 具体封装尺寸和引脚布局详见数据表中的封装尺寸图。