ADRF5049硅SP4T开关，非反射式，9 kHz至45 GHz技术手册

概述

ADRF5049是一款非反射式SP4T开关，采用绝缘硅(SOI)工艺制造。

该器件的工作频率范围为9 kHz至45 GHz，具有低于3.3 dB的插入损耗，以及高于35 dB的隔离性能。ADRF5049的直通路径、端接路径和RF公共端口热切换分别具有30 dBm、18 dBm和30 dBm的RF输入功率处理能力。

ADRF5049需采用+3.3 V和−3.3 V双电源供电。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)逻辑兼容控制。

ADRF5049具有使能和逻辑选择控制特性，可分别提供全部关断状态和镜像端口选择功能。

ADRF5049与ADRF5042和ADRF5043引脚兼容。

ADRF5049采用符合RoHS标准的24引脚、3 mm × 3 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。
数据表：*附件：ADRF5049硅SP4T开关，非反射式，9 kHz至45 GHz技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试仪器仪表
• 蜂窝基础设施——毫米波5G
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
  特性
• 超宽带频率范围：9 kHz 至 45 GHz
• 非反射式 50 Ω 设计
• 低插入损耗
  • 1.3 dB 至 18 GHz（典型值）
  • 2.2 dB 至 40 GHz（典型值）
  • 3.3 dB 至 45 GHz（典型值）
• 高隔离
• 44 dB 至 18 GHz（典型值）
• 40 dB 至 40 GHz（典型值）
• 35 dB 至 45 GHz（典型值）
• 高输入线性度
• P0.1dB：>30 dBm（典型值）
• IP3：50 dBm（典型值）
• 高 RF 输入功率
  • 30 dBm 直通路径
  • 18 dBm 终止路径
• 无低频杂散信号
• ESD 额定值
• HBM：所有引脚为 ±2000 V
• CDM：所有引脚为 ±500 V
• 开启和关闭时间（50% VCTRL 至 90% 的最终 OUT ）：2.7 μs
• 0.1 dB RF 建立时间（50% VCTRL 至 0.1 dB 的最终 RF 输出）：3.4 μs
• 3 mm x 3 mm，24 端子 LGA 封装
• 与 ADRF5042 和 ADRF5043 引脚兼容

功能框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5049有两个电源引脚(VDD和VSS)和四个控制引脚(V1、V2、LS和EN)。图24显示了电源和控制引脚的外部元件和连接。VDD引脚和VSS引脚通过100 pF多层陶瓷电容去耦。ADRF5049引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。偏置和工作不需要其他外部元件，但当RF线路偏置电压不同于0v时，RFx引脚上的DC隔直电容除外，详情参见“引脚配置和功能描述”部分。

RF端口内部匹配50ω，引脚排列设计用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波导(CPWG)。图25显示了采用8密耳厚RogersRO4003电介质材料的RF基板的referencedCPWG RF走线设计。对于2.2密耳的成品铜厚度，建议使用14密耳宽、7密耳间隙的RF走线。

图26显示了ADRF5049的RF走线、电源和控制信号的布线。接地层通过尽可能多的填充通孔连接，以实现最佳RF和散热性能。ADRF5049的主要热路径是底部。