ADRF5144 1GHz至20GHz 10W平均值硅SPDT反射开关技术手册

概述
ADRF5144 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀双掷 (SPDT) 开关。

ADRF5144 的工作频率范围为 1 GHz 至 20 GHz，具有优于 0.8 dB 的典型插入损耗和 52 dB 的典型隔离。对于插入损耗路径，此套件具有 40 dBm 平均功率和 44 dBm 峰值功率 (RF) 的射频 (RF) 输入功率处理能力。

ADRF5144 在 +3.3 V 的正电源上消耗 130 μA 的低电流，在 −3.3 V 的负电源上消耗 510 μA 的低电流。该套件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低压晶体管到晶体管逻辑 (LVTTL) 的控件。ADRF5144 无需额外的驱动电路，这使其成为基于 GaN 和 PIN 二极管的开关的理想替代方案。

当负电源电压 (Vss ) 接地时，ADRF5144 还可以使用施加的单一正电源电压 (VDD ) 运行。在这种工作条件下，当降低开关特性、线性度和功率处理性能时，仍可保持小信号性能。

ADRF5144 采用符合 RoHS 标准的 20 引脚 3.0 mm × 3.0 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。

数据表：*附件：ADRF5144 1GHz至20GHz 10W平均值硅SPDT反射开关技术手册.pdf

应用

• 军用射频、雷达和电子对抗措施 (ECM)
• Satcom
• 测试仪器仪表
• GaN 和 PIN 二极管更换
  特性
• 带宽频率范围：1 GHz 至 20 GHz
• 低插入损耗：​20 GHz 时为 0.8 dB
• 高隔离：​20 GHz 时为 52 dB
• 高输入线性度：
  • 0.1 dB 功率压缩 (P0.1dB)：44 dBm
  • 3 阶交调点 (IP3)：>70 dBm
  • 2 阶交调点 (IP2)：120 dBm
• TCASE = 85°C 时具有高功率处理能力：
  • 插入损耗路径：
    • 平均值：40 dBm
    • 脉冲（>100 ns 脉冲宽度，15% 占空比）：43 dBm
• 峰值（≤100 ns 峰值时间，5% 占空比）：44 dBm
• 热切换：37 dBm
• 0.1 dB RF 建立时间，PIN <37 dBm：750 ns
• 无低频杂散信号
• 正向控制接口：与 CMOS/LVTTL 兼容
• 20 引脚、3.0 mm × 3.0 mm LGA 封装

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5144有两个电源引脚(VDD和VSS)和一个控制引脚(CTRL)。图15显示了电源和控制引脚的外部元件和连接。VDD引脚和VSS引脚通过100 pF和10 nF多层陶瓷电容去耦，而控制引脚通过100 pF多层陶瓷电容去耦。器件引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但当RF线路偏置电压不在0 V时，RF引脚上的DC隔直电容除外，详情参见“引脚配置和功能描述”部分。

图17显示了器件的RF走线、电源和控制信号的布线。接地层通过尽可能多的填充通孔连接，以实现最佳RF和散热性能。器件的主要散热路径是底部，因此PCB下方需要一个散热器，以确保最大散热，并降低高功率应用中PCB的温升。

图18显示了参考叠层上从器件RF引脚到50欧姆CPWG的推荐布局。PCB焊盘与器件焊盘的比例为1:1。接地焊盘绘制为阻焊层定义，信号焊盘绘制为焊盘定义。来自PCB焊盘的RF走线以与封装边缘相同的宽度延伸，并以45°角逐渐变细至RF走线。pastemask还被设计成在没有任何孔径缩小的情况下匹配衬垫。糊状物被分成多个桨状开口。